AlSc材料在5G滤波器中的应用

掺杂Sc的AlN薄膜因其压电性能的显著提升而备受关注

    5G通信中的带宽都在GHz范围，明显高于目前的蜂窝服务。这些更高的频率使得使用体声波(BAW)技术来开发新一代射频滤波器成为必然。BAW滤波器是一种基于压电的声学谐振器，其频率和带宽由压电元件的几何形状、压电材料的特性、薄膜厚度以及相关电极的几何形状和特性决定。与传统的声表面波谐振器相比，薄膜体声波谐振器具有更高的谐振频率和品质因子。

    目前，薄膜体声波谐振器常用的压电材料有ZnO、PZT、AlN。其中，AlN与CMOS工艺的兼容性最好，而且AlN没有工业界FAB厂担心的Zn、Pb、Zr元素与其他元素结合的污染。近十年来，AlN压电薄膜及其器件的制备技术不断提高，成熟产品已应用于通信领域。然而，掺杂Sc的AlN薄膜因其压电性能的显著提升而备受关注。

制备AlScN薄膜的方法及探索方向

目前制备AlScN薄膜的方法主要有两种: 

一．A l靶和Sc靶共同溅射

    通过调节各个靶的溅射功率，制备不同化学配比的AlScN薄膜。在沉积过程中通入N2，使溅射出的Al和Sc原子与N原子反应，再在基底上沉积出AlScN薄膜。然而，与两个靶之间的空间距离会引成薄膜中成分和相分布的变化，因而这种方法常用于实验室开创性研究。诚然，其薄膜的化学比和相组成会有较大的波动，其均匀性不易控制。

内容来源：言智 博士 

版权说明：版权归原作者所有，如有侵权请联系删除